概述
向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合,就要考虑器件的雪崩能量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量,但是一些电源在输出短路时,初级会产生较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流,因此也要考虑器件的雪崩能量。
enx2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试igbt、mosfet、二极管雪崩耐量的专业测试设备,能够准确快速的测试出igbt、mosfet、、二极管的雪崩耐量。
西安易恩电气enx2020 雪崩耐量测试系统,该设备包括:可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、igbt、mosfet、二极管等功率型器件、igbt、mosfet、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口(根据客户需求)等多个部分。
规格/环境要求
电压频率:50hz±1hz
环境温度:15~40℃
工作湿度:温度不高于+30℃时,相对湿度5%-80%。
温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%,无冷凝。
大气压力: 86kpa~106kpa
海拔高度:不超过3000米。
尺 寸:800x800x1800mm
质 量:210kg
工作电压:ac220v±10%无严重谐波
系统功耗:320w
通信接口:usb rs232
技术指标
配置 | 测试范围 | 测试参数 | 条件 | 范围 | |
电压 1000v | igbts 绝缘栅双极型晶体管 | eas/单脉冲雪崩能量 | vce | 20v-4500v | 20-100v±3%±1v 100-1000v±3%±5v 1000-4500v±3%±10v |
电流 200a | mosfets mos场效应管 | ear/重复脉冲雪崩能量 | ic | 1ma-200a | 1ma-100ma±3%±0.1ma 100ma-2a±3%±5ma 2a-200a±3%±50ma |
diodes 二极管 | ias/单脉冲雪崩电流 | ea | 1j-2000j | 1j-100j±3%±1j 100j-500j±3%±5j 500j-2000j±3%±10j | |
pas/单脉冲雪崩功率 | ic检测 | 50mv/a(取决于传感器) | |||
感性负载 | 10mh、20mh、40mh、80mh、100mh | ||||
重复间隙时间 | 1-60s可调(步进1s)重复次数:1-50次 |